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BSZ088N03MS G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • Infineon

  • 原厂封装

  • 07+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • Infineon

  • 原厂封装

  • 07+

  • -
  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9866

  • Infineon

  • QFN

  • 08+

  • -
  • 绝对公司原装现货

  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3500

  • Infineon

  • S3O8

  • 13+

  • -
  • Infineon一级代理,价优

  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Infineon(英飞凌)

  • PG-TSDSON-8

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8277481983249326

    地址:销售一部:华强北上步工业区501栋401室 销售二部:深圳市福田区红荔路上航大厦411室

    资质:营业执照

  • 18530

  • Infineon

  • QFN

  • 20+

  • -
  • 公司常备大量原装现货,价优!

  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 深圳市华思半导体技术有限公司
    深圳市华思半导体技术有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-8329998313662227781

    地址:华强北路华强广场B座27K

    资质:营业执照

  • 18000

  • INFINEON/英飞凌

  • 原厂封装

  • 23+

  • -
  • 全新原装现货,特价支持

  • BSZ088N03MS G
    BSZ088N03MS G

    BSZ088N03MS G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSZ088N03MS G 技术参数
  • BSZ088N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 15V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ086P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):57.5nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 BSZ086P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):57.5nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ086P03NS3E G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4785pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ086P03NS3 G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4785pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ0904NSI BSZ0904NSIATMA1 BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NSATMA1 BSZ0910NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ0994NSATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N06LS3 G BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06NSATMA1 BSZ105N04NS G BSZ105N04NSGATMA1
配单专家

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