BTS282Z-E3180A

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说明
操作

BTS282Z-E3180A
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
11400
INFINEON/英飞凌
TO263
23+
-
原厂原装正品现货

BTS282Z-E3180A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
TO220-7-180
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

BTS282Z-E3180A
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
INFINEON
TO-220-7
15+
-
原装正品，假一罚十

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BTS282Z-E3180A 技术参数

BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7（成形引线）供应商器件封装:PG-TO220-7 标准包装:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-7 供应商器件封装:PG-TO220-7-230 标准包装:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:49V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:PG-TO220-7-180 标准包装:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:PG-TO263-5 标准包装:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-5 供应商器件封装:P-TO220-5 标准包装:500 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1