BUK92150-55A.118

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BUK92150-55A.118 技术参数

BUK92150-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 11A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:338pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK9214-80EJ 功能描述:MOSFET N-CH 80V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件状态:有效标准包装:2,500 BUK9214-30A,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 63A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:63A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2317pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:107W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 BUK9213-60EJ 功能描述:MOSFET N-CH 60V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件状态:有效标准包装:2,500 BUK9213-30A,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2852pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:2,500 BUK9223-60EJ BUK9225-55A,118 BUK9226-75A,118 BUK9230-100B,118 BUK9230-55A,118 BUK9230-80EJ BUK9234-100EJ BUK9237-55,118 BUK9237-55A,118 BUK9237-55A/C1,118 BUK9240-100A,118 BUK9240-100A/C1,11 BUK9245-55A,118 BUK9275-100A,118 BUK9277-55A,118 BUK9277-55A/CDJ BUK929R1-60EJ BUK9504-40A,127