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BUK9615-100E118

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BUK9615-100E118 技术参数

BUK9615-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6813pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:182W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK9615-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK96150-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:137 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:339pF @ 25V 功率 - 最大值:53W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 BUK9614-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2651pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.8 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK9614-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3307pF @ 25V 功率 - 最大值:149W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 BUK9620-100B,118 BUK9620-55A,118 BUK9623-75A,118 BUK9624-55A,118 BUK9628-100A,118 BUK9628-55A,118 BUK9629-100B,118 BUK962R1-40E,118 BUK962R5-60E,118 BUK962R6-40E,118 BUK962R8-30B,118 BUK962R8-60E,118 BUK9635-100A,118 BUK9635-55,118 BUK9635-55A,118 BUK9637-100E,118 BUK963R1-40E,118 BUK963R2-40B,118