BUK9880-55/CUF全国供应商【买卖IC网】BUK9880-55/CUF资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

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价格
说明
操作

BUK9880-55/CUF
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SC-73
18+
-
MOSFET N-CH 55V 7.5A...

BUK9880-55/CUF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

BUK9880-55/CUF
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14975
NXP SEMIC
1521+
-
全新原装现货

BUK9880-55/CUF
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
NXP/恩智浦
SOT223
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BUK9880-55/CUF
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
SC-73
17+
-
全新原装现货

BUK9880-55/CUF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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功能描述
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
制造商
nexperia usa inc.
系列
TrenchMOS??
包装
剪切带（CT）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
650pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
8.3W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
80 毫欧 @ 5A，5V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
标准包装
1

BUK9880-55/CUF 技术参数

BUK9880-55,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 25V 功率 - 最大值:8.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK9875-100A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 8A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BUK9875-100A,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK9840-55/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），10.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 5A，5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 BUK9840-55,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127 BUK9E15-60E,127 BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 BUK9E2R3-40E,127 BUK9E2R8-60E,127 BUK9E3R2-40B,127 BUK9E3R2-40E,127 BUK9E3R7-60E,127 BUK9E4R4-40B,127 BUK9E4R4-80E,127 BUK9E4R9-60E,127

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