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BUV61
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5886
ST
TO-3
15+
-
百分百原装正品，假一罚十

BUV61
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
DSI
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BUV61
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
884000
YXYBDT台湾
TO-3
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

BUV61
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
1500
ST
TO-3
20+
-
进口原装现货库存

BUV61
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-3
2024+
-
国产品牌，可替代原装

BUV61
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
3
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

BUV61
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO 3 1.5mm
ST
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
两极晶体管 - BJT Hi Pwr NPN Silicon Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BUV61 技术参数

BUV48A 功能描述:TRANS NPN 450V 15A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 2.4A，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 8A，5V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 BUV298V 功能描述:TRANS NPN 450V 50A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 6.4A，32A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:12 @ 32A，5V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 BUV298AV 功能描述:TRANS NPN 450V 50A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 6.4A，32A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:12 @ 32A，5V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 BUV27G 功能描述:TRANS NPN 120V 12A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:70W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUV27 功能描述:TRANS NPN 120V 12A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:85W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUX85 BUX85G BUX87 BUX98A BUX98APW BUXD87T4 BUY69A BUZ10 BUZ11_NR4941 BUZ11_R4941 BUZ11-NR4941 BUZ30A BUZ30A E3045A BUZ30A H BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AHXKSA1 BUZ31 BUZ31 E3045A

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