您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BUZ111SE3045A

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BUZ111SE3045A
    BUZ111SE3045A

    BUZ111SE3045A

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • INFINEON

  • 标准封装

  • 10+

  • -
  • BUZ111SE3045A
    BUZ111SE3045A

    BUZ111SE3045A

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • INFINEON

  • 标准封装

  • 10+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • BUZ111SE3045A
    BUZ111SE3045A

    BUZ111SE3045A

  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
    深圳市悦兴晨电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田区上步工业区405栋607室 柜台号新亚洲二期N2B227

  • 15600

  • sie

  • 原厂原封装

  • 2023+

  • -
  • 全新原装 部分发货3-5天

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
BUZ111SE3045A PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全称
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Power Transistor
BUZ111SE3045A 技术参数
  • BUZ11_R4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:400 BUZ11_NR4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 BUZ10 功能描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUY69A 功能描述:TRANS NPN 400V 10A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3.3V @ 2.5A,8A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):15 @ 2.5A,10V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:底座安装 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 BUXD87T4 功能描述:TRANS NPN 450V 0.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 20mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):12 @ 40mA,5V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 BUZ31 H3045A BUZ31H3046XKSA1 BUZ31HXKSA1 BUZ31L BUZ31L E3044A BUZ31L H BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK
配单专家

在采购BUZ111SE3045A进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BUZ111SE3045A产品风险,建议您在购买BUZ111SE3045A相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BUZ111SE3045A信息由会员自行提供,BUZ111SE3045A内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号