BUZ31LHXKSA1

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BUZ31LHXKSA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
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地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
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公司全新原装正品,QQ153058080...

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 200V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Rail/Tube
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3

BUZ31LHXKSA1 技术参数

BUZ31L H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 7A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ31L E3044A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 7A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3-1 标准包装:1,000 BUZ31L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 7A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ31HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 9A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ31H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 9A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:PG-TO262-3 标准包装:500 BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ BV-003-1A