BUZ60BU

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说明
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BUZ60BU
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
HAR
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BUZ60BU
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
HAR
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BUZ60BU
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
HAR
标准封装
13+
-

BUZ60BU
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

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1

您是不是要找： BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk

BUZ60BU 技术参数

BUZ32H3045AATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:PG-TO263-3 标准包装:1,000 BUZ32 H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ32 E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1,000 BUZ32 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ31L H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 7A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0