BYM26C/PH

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " BYM26C/PH " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BYM300A120DN2HOSA1 BYM300B170DN2HOSA1 BYM357X,127 BYM358X,127 BYM359X-1500,127 BYM36A-TAP BYM36B-TAP BYM36C-TAP BYM36D-TAP

BYM26C/PH PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BYM26C/PH 技术参数

BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,500 BYM13-60-E3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60-E3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BYM13-50HE3/97 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM36E-TAP BYM36E-TR BYM600A170DN2HOSA1 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81