BYM36BGP

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制造商
GULFSEMI
制造商全称
Gulf Semiconductor
功能描述
SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE：200V to 1000V CURRENT

BYM36BGP 技术参数

BYM36A-TAP 功能描述:Diode Avalanche 200V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYM359X-1500,127 功能描述:RF Diode Standard - 1 Pair Series Connection 1500V 10A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准 - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:1500V 电流 - 最大值:10A 不同?Vr，F 时的电容:- 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM358X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:1500V，600V 电流 - 最大值:7A 不同?Vr，F 时的电容:- 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM357X,127 功能描述:RF Diode Standard - Single 1500V, 600V 7A TO-220-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准 - 单电压 - 峰值反向（最大值）:1500V，600V 电流 - 最大值:7A 不同?Vr，F 时的电容:- 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 BYM300B170DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:2 个独立式电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:20mW 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.55V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45 BYQ28EB-150HE3/81 BYQ28EB-200-E3/81 BYQ28EB-200HE3/45 BYQ28EB-200HE3/81 BYQ28ED-200,118