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BZB984C3V6

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  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

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BZB984C3V6 技术参数
  • BZB984-C3V3,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:1 BZB984-C3V0,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 3V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:1 BZB984-C2V7,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 2.7V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:4,000 BZB984-C2V4,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 2.4V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:1 BZB984-C15,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 15V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 配置:1 对共阳极 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 10.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:1 BZB984-C8V2,115 BZB984-C9V1,115 BZD17C100P M2G BZD17C100P MHG BZD17C100P MQG BZD17C100P MTG BZD17C100P R3G BZD17C100P RFG BZD17C100P RHG BZD17C100P RQG BZD17C100P RTG BZD17C100P RUG BZD17C100P RVG BZD17C100P-E3-08 BZD17C100P-E3-18 BZD17C10P-E3-08 BZD17C10P-E3-18 BZD17C110P-E3-08
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