BZV55C24LT1G

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BZV55C24LT1G
深圳市泽芯微科技有限公司
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电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
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BZV55C24LT1G 技术参数

BZV55-C24,135 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 700mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:1 BZV55-C24,115 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 700mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 标准包装:1 BZV55C24 L1G 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55C24 L0G 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55C24 功能描述:Zener Diode 24V ±6% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±6% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 16.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 BZV55C2V4 L1G BZV55-C2V4,115 BZV55-C2V4,135 BZV55C2V7 BZV55C2V7 L0G BZV55C2V7 L1G BZV55-C2V7,115 BZV55-C2V7,135 BZV55C30 BZV55C30 L0G BZV55C30 L1G BZV55-C30,115 BZV55-C30,135 BZV55C30-TP BZV55C33 BZV55C33 L0G BZV55C33 L1G BZV55-C33,115