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BZX79C20,113

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BZX79C20,113 技术参数
  • BZX79C20 A0G 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79C20 功能描述:Zener Diode 20V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX79C18-T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:BZX79C18 标准包装:1 BZX79C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):45 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79C18_T50A 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):45 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 BZX79-C22,133 BZX79-C22,143 BZX79C22_T50A BZX79C22_T50R BZX79C24 BZX79C24 A0G BZX79-C24,113 BZX79-C24,133 BZX79-C24,143 BZX79C24_T50A BZX79C24_T50R BZX79C24-T50A BZX79C27 BZX79C27 A0G BZX79-C27,113 BZX79-C27,133 BZX79-C27,143 BZX79C27_T50A
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