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BZX84C30S-FDI

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BZX84C30S-FDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
DIODES
SOT-363
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

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BZX84C30S-FDI 技术参数

BZX84C30S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 30V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C30S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 30V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产配置:2 个独立式电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C30LT1G 功能描述:Zener Diode 30V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BZX84C30LT1 功能描述:Zener Diode 30V 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±7% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BZX84C30-HE3-18 功能描述:DIODE ZENER 30V 300MW SOT23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 21V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BZX84-C33,235 BZX84-C33/DG/B2,21 BZX84-C33/DG/B2,23 BZX84-C33/LF1R BZX84-C33/LF1VL BZX84C33_D87Z BZX84C33-7 BZX84C33-7-F BZX84C33-E3-08 BZX84C33-E3-18 BZX84C33-G3-08 BZX84C33-G3-18 BZX84C33-HE3-08 BZX84C33-HE3-18 BZX84C33LT1 BZX84C33LT1G BZX84C33LT3 BZX84C33LT3G