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BZX85C10_T50R

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • BZX85C10_T50R
    BZX85C10_T50R

    BZX85C10_T50R

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原装正品质量保障 电话010-62104...

  • BZX85C10_T50R
    BZX85C10_T50R

    BZX85C10_T50R

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 20000

  • FAIRCHILD

  • 2015+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • BZX85C10_T50R
    BZX85C10_T50R

    BZX85C10_T50R

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 8478

  • Fairchild/ON Semiconducto

  • N/A

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • 1/1页 40条/页 共7条 
  • 1
BZX85C10_T50R PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 稳压二极管 10V 1W Zener
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
BZX85C10_T50R 技术参数
  • BZX85C10 R0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 BZX85C10 A0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:3,000 BZX85C10 功能描述:Zener Diode 10V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1,000 BZX85B9V1-TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85B9V1-TAP 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C11_T50R BZX85C11-TAP BZX85C11-TR BZX85C12 BZX85C12 A0G BZX85C12 R0G BZX85C12_T50R BZX85C12-T50R BZX85C12-TAP BZX85C12-TR BZX85C13 BZX85C13 A0G BZX85C13 R0G BZX85C13_T50R BZX85C13-TAP BZX85C13-TR BZX85C15 BZX85C15 A0G
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