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BZY55B11 RYG

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功能描述
稳压二极管 Zener 500mW 2% 11v
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZY55B11 RYG 技术参数

BZY55B10 RYG 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZX884-C9V1,315 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C9V1 标准包装:1 BZX884-C8V2,315 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C8V2 标准包装:1 BZX884-C7V5,315 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C7V5 标准包装:1 BZX884-C75,315 功能描述:DIODE ZENER 75V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 52.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C75 标准包装:1 BZY55B2V4 RYG BZY55B2V7 RYG BZY55B30 RYG BZY55B33 RYG BZY55B36 RYG BZY55B3V0 RYG BZY55B3V3 RYG BZY55B3V6 RYG BZY55B3V9 RYG BZY55B4V3 RYG BZY55B4V7 RYG BZY55B5V1 RYG BZY55B5V6 RYG BZY55B6V2 RYG BZY55B6V8 RYG BZY55B7V5 RYG BZY55B8V2 RYG BZY55B9V1 RYG