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BLF6G27S-45

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

BLF6G27S-45 技术参数

BLF6G27LS-75,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 9W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:9W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G27LS-75,112 功能描述:FET RF 65V SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:9W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G27LS-50BN,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:430mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1112B 供应商器件封装:CDFM6 标准包装:100 BLF6G27LS-50BN,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:16.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:430mA 功率 - 输出:3W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1112B 供应商器件封装:CDFM6 标准包装:20 BLF6G27LS-40PGJ 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 450mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17.5dB 12W SOT-1121E 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.5GHz ~ 2.7GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA 功率 - 输出:12W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121E 供应商器件封装:SOT-1121E 标准包装:100 BLF6G38-50,112 BLF6G38-50,135 BLF6G38LS-100,112 BLF6G38LS-50,112 BLF6G38LS-50,118 BLF6G38S-25,112 BLF6G38S-25,118 BLF6H10L-160,112 BLF6H10LS-160,112 BLF6H10LS-160,118 BLF7G10L-250,112 BLF7G10L-250,118 BLF7G10LS-250,112 BLF7G10LS-250,118 BLF7G15LS-200,112 BLF7G15LS-200,118 BLF7G15LS-300P,112 BLF7G15LS-300P,118