BSC010NE2LSI

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSC010NE2LSI
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
12310
Infineon(英飞凌)
22+
-
全新原装现货

BSC010NE2LSIATMA1
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
46700
实库存INFINEON
TDSON8
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

BSC010NE2LSI
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSC010NE2LSIATMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
1917
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
MOSFET N-Channel 25V MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSC010NE2LSI 技术参数

BSC010NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC010NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC010N04LSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSC010N04LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.05 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6200pF @ 20V FET 功能:Schottky Diode (Body) 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 FL 标准包装:1 BSC010N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 mOhm @ 50A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 FL（5x6）标准包装:1 BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSTATMA1 BSC014N06NS BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSTATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 BSC016N04LS G BSC016N04LSGATMA1 BSC016N06NS BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1