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BSS138LT1

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功能描述
MOSFET 50V 200mA N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSS138LT1 技术参数

BSS138L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS138K 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:58pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS138-F085 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS138DWQ-7 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BSS138DWQ-13 功能描述:MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:10,000 BSS138NH6433XTMA1 BSS138NL6327HTSA1 BSS138NL6433HTMA1 BSS138P,215 BSS138PS,115 BSS138PW,115 BSS138Q-7-F BSS138TA BSS138TC BSS138W BSS138W E6327 BSS138W E6433 BSS138W L6327 BSS138W L6433 BSS138W-7 BSS138W-7-F BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6433XTMA1