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参数资料
| 型号： | B1100B-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 96K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 790mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 80pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | B1100BDIDKR |
B170/B - B1100/B
Document number: DS30018 Rev. 10 - 2
2 of 4
www.diodes.com
September 2010
? Diodes Incorporated
B170/B - B1100/B
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
B170/B
B180/B
B190/B
B1100/B
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
70
80
90
100
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
49
56
63
70
V
Average Rectified Output Current @ TT
= 125
°C
IO
1.0
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
30
A
Repetitive Peak Reverse Current
IRRM
1.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
B170/B
B180/B
B190/B
B1100/B
Unit
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 4)
RθJT
25
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward Voltage Drop
VF
-
-
0.79
0.69
V
IF
= 1.0A, T
A
= 25
°C
IF
= 1.0A, T
A
= 100
°C
Leakage Current (Note 5)
IR
-
-
-
-
0.5
5.0
mA
@ Rated VR, TA
= 25
°C
@ Rated VR, TA
= 100
°C
Total Capacitance
CT
-
-
80
pF
VR
= 4V, f = 1MHz
Notes: 4. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0.01
0.1
1.0
10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
T = 25°CJ
I Pulse Width = 300μsF
10
100
1,000
0.1
1
10
100
C
,
T
O
T
AL
C
A
P
A
C
I
T
AN
C
E (p
F
)
T
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 2 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B6M-CX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W |
| V24A5C300BL3 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 300W |
| V24A5C300B3 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 300W |
| VE-B6M-CW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W |
| SDR6603-1R0M | INDUCTOR POWER 1.0UH 2.9A SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| B1100B-13-F | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| B1100BE-13 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:790mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:27pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| B1100BQ-13-F | 功能描述:Diode Schottky 100V 1A Surface Mount SMB 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:790mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| B1100C | 制造商:TECCOR 制造商全称:TECCOR 功能描述:solid state crowbar devices |
| B1100C_L | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:SLIC Protector |
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