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参数资料
| 型号： | B150B-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 700mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 110pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | B150BDIDKR |
B120/B -
B160/B
Document number: DS13002 Rev. 18
-
2
2
of 5
www.diodes.com
May 2013
? Diodes Incorporated
B120/B -
B160/B
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
B120/B
B130/B
B140/B
B150/B
B160/B
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
20
30
40
50
60
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
14
21
28
35
42
V
Average Rectified Output Current
@ TT
= +130°C
IO
1.0
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
30
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
B120/B
B130/B
B140/B
B150/B
B160/B
Unit
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 6)
RθJT
20
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics(@T
A
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward Voltage Drop
B120/B, B130/B, B140/B
B150/B, B160/B
VF
-
-
-
-
0.5
0.7
V
IF
= 1.0A
IF
= 1.0A
Leakage Current (Note 7)
IR
-
-
-
-
0.5
10
mA
@ Rated VR, TA
= +25°C
@ Rated VR, TA
= +100°C
Total Capacitance
CT
-
-
110
pF
VR
= 4V, f = 1MHz
Notes:
6. Thermal Resistance: Junction to terminal, unit
mounted on PC board with 5.0 mm2
(0.013 mm thick) copper pads as heat sink.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0.1
1.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
,
I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(
A
)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics - B120/B thru B140/B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B6D-CX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 75W |
| SDR1006-560KL | INDUCTOR POWER 56UH 1.15A SMD |
| VI-B6D-CW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W |
| VI-B6D-CW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W |
| SS2P4-M3/84A | DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| B150B-13-F | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| B150BE-13 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMB 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:650mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:45pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| B150BQ-13-F | 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount SMB 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| B150BTZ13JKF | 制造商:Micron Industries Corporation 功能描述: |
| B150-E3/5AT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 50 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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