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参数资料
| 型号： | B32520C1104J289 |
| 厂商： | EPCOS Inc |
| 文件页数： | 25/45页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | FILM CAP 0.1000UF 5% 100V |
| 标准包装： | 3,200 |
| 系列： | B32520 |
| 电容： | 0.1µF |
| 额定电压 - AC： | * |
| 额定电压 - DC： | * |
| 电介质材料： | 聚酯，金属化 |
| 容差： | ±5% |
| ESR（等效串联电阻）： | * |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 尺寸/尺寸： | 0.394" L x 0.098" W（10.00mm x 2.50mm） |
| 高度 - 座高（最大）： | 0.276"（7.00mm） |
| 端子： | PC 引脚 |
| 引线间隔： | 0.295"（7.50mm） |
| 特点： | 通用 |
| 应用： | * |
| 包装： | 带盒（TB） |
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B32529
General purpose (stacked)
Permissible AC voltage V RMS versus frequency f (for sinusoidal waveforms, T A ≤ 55 ° C)
For T A >55 ° C, please refer to "General technical information", section 3.2.3.
Lead spacing 5 mm
50 V DC/32 V AC
100 V DC/63 V AC
Please read Important notes
at the end of this document.
63 V DC/40 V AC
250 V DC/160 V AC
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASG-C-X-A-156.250MHZ-T | OSC 156.250 MHZ 3.3V LVCMOS SMD |
| B32520C104J289 | FILM CAP 0.1000UF 5% 63V |
| B32520C104J189 | FILM CAP 0.1000UF 5% 63V |
| ASG-C-X-B-155.520MHZ-T | OSC 155.520 MHZ 2.5V LVCMOS SMD |
| NTHD3133PFT1G | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| B32520C1104K | 功能描述:薄膜电容器 0.1uF 100volts 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32520C1104K | 制造商:TDK-EPC 功能描述:CAPACITOR 0.1UF 100V |
| B32520C1104K000 | 功能描述:薄膜电容器 0.1uF 100volts 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32520C1104K189 | 功能描述:薄膜电容器 0.1uF 100volts 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32520C1104K289 | 功能描述:薄膜电容器 0.1uF 100volts 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
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