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参数资料
| 型号： | B32620J222J189 |
| 厂商： | EPCOS Inc |
| 文件页数： | 11/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | FILM CAP 0.0022UF 5% 1KV |
| 标准包装： | 1,400 |
| 系列： | B32620 |
| 电容： | 2200pF |
| 额定电压 - AC： | 600V |
| 额定电压 - DC： | 1000V（1kV） |
| 电介质材料： | 聚丙烯，金属化 |
| 容差： | ±5% |
| 工作温度： | -55°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 尺寸/尺寸： | 0.394" L x 0.197" W（10.00mm x 5.00mm） |
| 高度 - 座高（最大）： | 0.413"（10.50mm） |
| 端子： | PC 引脚 |
| 引线间隔： | 0.295"（7.50mm） |
| 特点： | 交流和双倍脉冲 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | B32620J 222J189 B32620J0222J189 |
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B32620
High pulse (stacked)
Permissible AC voltage V RMS versus frequency f (for sinusoidal waveforms, T A ≤ 90 ° C)
For T A >90 ° C, please refer to "General technical information", section 3.2.3.
Lead spacing 7.5 mm
160 V DC/90 V AC
400 V DC/200 V AC
Please read Cautions and warnings and
Important notes at the end of this document.
250 V DC/140 V AC
630 V DC/400 V AC
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC535-33.3333 | OSC 33.3333 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC535-36 | OSC 36 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| CS325-13.000MABJ-UT | CRYSTAL 13.0000MHZ 18PF SMD |
| FXO-HC535-38.4 | OSC 38.4 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| NTB75N06T4G | MOSFET PWR N-CHAN 60V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| B32620J222K | 功能描述:薄膜电容器 0.0022uF 1KV 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32620J222K189 | 功能描述:薄膜电容器 0.0022uF 1KV 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32620J222K289 | 功能描述:薄膜电容器 0.0022uF 1KV 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32620J272J189 | 功能描述:薄膜电容器 0.0027uF 1KV 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32620-J332 | 制造商:EPCOS 制造商全称:EPCOS 功能描述:Metallized Polypropylene Film Capacitors (MKP) Plastic Case |
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