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参数资料
| 型号： | B32656S0155K501 |
| 厂商： | EPCOS Inc |
| 文件页数： | 18/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | CAP FILM 1.5UF 850VDC SCREW |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | B32656S |
| 电容： | 1.5µF |
| 额定电压 - AC： | 450V |
| 额定电压 - DC： | 850V |
| 电介质材料： | 聚丙烯，金属化 |
| 容差： | ±10% |
| 工作温度： | -55°C ~ 110°C |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 矩形接线盒 |
| 尺寸/尺寸： | 1.654" L x 1.220" W（42.00mm x 31.00mm） |
| 高度 - 座高（最大）： | 1.043"（26.50mm） |
| 端子： | 螺钉端子 |
| 引线间隔： | 1.476"（37.50mm） |
| 特点： | 交流和双倍脉冲 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 495-3955 |
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B32656S
Snubber (wound)
Pulse handling capability
"dV/dt" represents the maximum permissible voltage change per unit of time for non-sinusoidal
voltages, expressed in V/ μ s.
"k 0 " represents the maximum permissible pulse characteristic of the waveform applied to the
capacitor, expressed in V 2 / μ s.
Note:
The values of dV/dt and k 0 provided below must not be exceeded in order to avoid damaging the
capacitor.
dV/dt and k 0 values
V R (V DC)
850
1000
1250
1600
2000
V RMS (V AC)
450
480
500
750
800
dV/dt in V/ μ s
400
450
500
600
700
k 0 in V 2 / μ s
680 000
900 000
1 250 000
1 920 000
2 800 000
Impedance Z versus frequency f
(typical values)
Please read Cautions and warnings and
Important notes at the end of this document.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| B32656S0155K562 | 功能描述:薄膜电容器 1.5uF 1000volts 10% ESR 5.0mOhms Term=T2 RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32656S0155K563 | 功能描述:薄膜电容器 1.5uF 1000volts 10% ESR 5.0mOhms Term=T3 RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 产品类型: 电介质:Polyester 电容:0.047 uF 容差:10 % 电压额定值:100 V 系列:225P 工作温度范围:- 55 C to + 85 C 端接类型:Radial 引线间隔:9.5 mm |
| B32656S0155K566 | 功能描述:FILM CAP MKP SNUBBER 1.5F 10% 10 制造商:epcos (tdk) 系列:* 零件状态:有效 标准包装:48 |
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