参数资料
型号: B82422T1103K
厂商: EPCOS Inc
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: INDUCTOR 10UH 150MA 1210 10%
产品变化通告: B82422x Material Change 07/Oct/2011
产品目录绘图: B82422T Series Side
B82422T Series End
标准包装: 1
系列: SIMID
电感: 10µH
电流: 150mA
类型: 铁氧体芯体
容差: ±10%
屏蔽: 无屏蔽
DC 电阻(DCR): 最大 2.1 欧姆
Q因子@频率: 27 @ 2.52MHz
频率 - 自谐振: 30MHz
材料 - 芯体: 铁氧体
封装/外壳: 1210(3225 公制)
安装类型: 表面贴装
包装: 标准包装
频率 - 测试: 2.52MHz
产品目录页面: 1784 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 495-1730-6
SMT inductors, SIMID series
SIMID 1210-T
Impedance |Z| versus frequency f
measured with impedance analyzer
Agilent E4991A, typical values at +20 °C
B82422T
Inductance L versus DC load current I DC
measured with LCR meter Agilent 4285A,
typical values at +20 °C
| Z |
10 5
Ω
10 4
B82422T
IND0074-8
L
10 3
μH
10 2
B82422T
100 μH
IND0075-W
10 3
10 2
10 1
10 0
10 μH
1 μH
10 1
10
_ 1
0.1 μH
100 μH
10 0
10 μH
1 μH
100 nH
10
_ 2
0.01 μH
10 nH
10
_ 1
10 6
10 7
10 8
Hz 10 9
f
10
_ 3
10
_ 2
10
_ 1
10 0
A 10 1
I DC
Q factor versus frequency f
measured with impedance analyzer Agilent
E4991A, typical values at +20 °C
Current derating I op /I R
versus ambient temperature T A
(rated temperature T R = +85 °C)
100
IND0076-9
1.2
IND0077-H-E
Q
90
80
B82422T
I op
I R
1.0
B82422T
70
60
0.01 μH
0.8
50
0.12 μH
0.1 μH
0.6
40
10 μH
30 100 μH
20
10
1 μH
0.4
0.2
0 5
10
10 6
10 7
10 8
Hz 10 9
f
0
0
20
40
60
80 100
? C
T A
140
7
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