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参数资料
| 型号： | B82432C1105K |
| 厂商： | EPCOS Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | INDUCTOR 1000UH 55MA 1812 10% |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SIMID |
| 电感： | 1mH |
| 电流： | 55mA |
| 类型： | 铁氧体芯体 |
| 容差： | ±10% |
| 屏蔽： | 无屏蔽 |
| DC 电阻(DCR)： | 最大 32 欧姆 |
| Q因子@频率： | 30 @ 796kHz |
| 频率 - 自谐振： | 2.8MHz |
| 材料 - 芯体： | 铁氧体鼓形芯 |
| 封装/外壳： | 1812（4532 公制） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 频率 - 测试： | 100kHz |
| 工具箱： | 495-1681-ND - KIT INDUCTOR 1812-C SERIES |
| 其它名称： | 495-1746-1 |
SMT inductors, SIMID series
SIMID 1812-C
Characteristics and ordering codes
B82432C
L R
Tolerance
f L
Q min
f Q
I R
R max
f res,min
Ordering code 1)2)
P H
MHz
MHz
mA
:
MHz
10
r 10%
^
K
1
40
7.96
320
0.98
28
B82432C1103K000
12
15
18
22
27
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30
30
30
30
30
2.52
2.52
2.52
2.52
2.52
300
280
270
260
245
1.10
1.25
1.35
1.45
1.65
24
21
18
16
13
B82432C1123K000
B82432C1153K000
B82432C1183K000
B82432C1223K000
B82432C1273K000
33
r 5%
^
J
0.1
30
2.52
230
1.85
13
B82432C1333+000
39
r 10%
^
K
0.1
30
2.52
220
2.05
12
B82432C1393+000
47
56
68
82
100
120
150
180
220
270
330
390
470
560
680
820
1000
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
2.52
2.52
2.52
2.52
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
210
200
190
175
145
140
130
120
115
90
85
80
75
70
65
60
55
2.3
2.5
2.8
3.2
4.7
5.2
6.1
6.9
7.5
12.5
14.1
15.3
17.5
23.0
25.0
28.0
32.0
12
11
10
9
8
8
7
6
6
5
4.5
4.2
4.0
3.5
3.3
3.0
2.8
B82432C1473+000
B82432C1563+000
B82432C1683+000
B82432C1823+000
B82432C1104+000
B82432C1124+000
B82432C1154+000
B82432C1184+000
B82432C1224+000
B82432C1274+000
B82432C1334+000
B82432C1394+000
B82432C1474+000
B82432C1564+000
B82432C1684+000
B82432C1824+000
B82432C1105+000
Closer tolerances on request.
Higher currents possible at temperatures <T R on request.
1) Replace the + by the code letter for the required inductance tolerance.
2) For Ni-barrier-plated terminals replace the last two digits “00” by “50”.
Please read Cautions and warnings and
Important notes at the end of this document.
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