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参数资料
| 型号： | B82442H1334K |
| 厂商： | EPCOS Inc |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | INDUCTOR 330UH 200MA 2220 10% |
| 产品目录绘图： | B82442A,H Series Side B82442A,H Series Top |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SIMID |
| 电感： | 330µH |
| 电流： | 200mA |
| 类型： | 铁氧体芯体 |
| 容差： | ±10% |
| 屏蔽： | 无屏蔽 |
| DC 电阻(DCR)： | 最大 3.92 欧姆 |
| Q因子@频率： | 20 @ 796kHz |
| 频率 - 自谐振： | 3.2MHz |
| 材料 - 芯体： | 铁氧体鼓形芯 |
| 封装/外壳： | 2220（5750 公制） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 标准包装 |
| 频率 - 测试： | 796kHz |
| 产品目录页面： | 1785 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 495-3438-6 |
SMT inductors, SIMID series
SIMID 2220-H
Characteristics and ordering code
B82442H
L R
Tolerance
Q min
f L ; f Q
I R
R max
f res,min
Ordering code 1)2)
P H
MHz
mA
:
MHz
180
r 5%
^
J
20
0.796
270
2.24
4.4
B82442H1184+000
220
r 10%
^
K
20
0.796
240
2.72
3.9
B82442H1224+000
270
330
390
470
560
680
820
1000
1200
1500
1800
2200
2700
3300
3900
4700
5600
6800
8200
10000
20
20
20
20
20
20
20
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.796
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.252
0.0796
220
200
180
170
150
140
130
120
105
100
85
75
65
55
53
50
46
42
39
35
3.36
3.92
4.64
5.60
6.80
8.00
10.4
12.0
13.6
16.0
24.0
28.0
44.0
48.0
56.0
62.4
68.0
88.0
100
120
3.6
3.2
2.9
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
B82442H1274+000
B82442H1334+000
B82442H1394+000
B82442H1474+000
B82442H1564+000
B82442H1684+000
B82442H1824+000
B82442H1105+000
B82442H1125+000
B82442H1155+000
B82442H1185+000
B82442H1225+000
B82442H1275+000
B82442H1335+000
B82442H1395+000
B82442H1475+000
B82442H1565+000
B82442H1685+000
B82442H1825+000
B82442H1106+000
Closer tolerances on request.
Higher currents possible at temperatures <T R on request.
Sample kit available. Ordering code: B82442X001
For more information refer to chapter “Sample kits”.
1) Replace the + by the code letter for the required inductance tolerance.
2) For Ni-barrier-plated terminals replace the last two digits “00” by “50”.
Please read Cautions and warnings and
Important notes at the end of this document.
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