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参数资料
| 型号： | BA5821FP |
| 英文描述： | 光ディスクLSI |
| 中文描述： | 光ディスク大规模集成电路 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | BA5821FP |
BA5821FP
IC
!
使用上の注意
1. BA5821FP
では、サーマルシャットダウン回路を内蔵しています。
チップ温度が
175
°
C (Typ.)
になると出力電流がミュートされ、再びチップ温度が
150
°
C (Typ.)
になるとドライバ部
回路が立ち上がります。
2.
バイアス端子
(1pin)
は、
0.7V
以下になるとミュートがかかります。
通常状態では、
1.3V
以上にしてください。
3.
電源電圧が
3.8V (Typ.)
以下まで低下すると内部回路が
OFF
し、再び
4.0V (Typ.)
まで上昇すると立ち上がります。
4.
サーマルシャットダウン、バイアス端子電圧の低下、および、電源電圧の低下で、全てのチャンネルの回路にミュ
ートがかかりますが、その際、出力端子は、内部バイアス電圧
(V
CC
/2)
になります。
5.
ミュート端子電圧をオープン、または
0.5V
以下にすると、その対象のチャンネルの回路がミュート状態になります。
通常使用状態では、ミュート端子を
2V
以上にプルアップしてください。
6. 3
つのミュート端子を共にオープン、または、
0.5V
以下に下げると、回路電流をスタンバイ状態にすることができ
ます。なお、切り替わりのスレッショルドは、約
1.4V
です。
7.
プリ部の
V
CC
は、パワー部の
V
CC
と同じもしくは、高い高圧を供給してください。
8.
供給電源間には、この
IC
の根元にパスコン
(0.1
μ
F
程度
)
を付けてください。
9. IC
の
GND
は、ピン電圧のなかで最低電位にしてください。
10.
放熱フィンは、パッケージ内部で
PowGND
につながっていますが、外部の
GND
とつないでください。
11.
出力
pin
―
PowV
CC
間ショート（天絡）、出力
pin
―
GND
間ショート（地絡）、および出力
pin
間ショート（負荷シ
ョート）は避けてください。また、
IC
を基板に装着する際は、
IC
の向きに十分ご注意ください。
IC
が破損し、
場合によっては発煙する恐れがあります。
!
電気的特性曲線
1
2
0
3
0
25
50
75
100
70mm
70mm
: 1.6mm
3%
125
150
175
P
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (
°
C)
Fig.2
30
20
40
0
CH1
CH3
CH4
CH2
10
50
40
30
20
10
50
0
5
10
CC
=PV
CC
=Sweep
V
L
=8
+47
μ
H
R
15
O
C
SUPPLY VOLTAGE : V
CC
(V)
Fig.3
10
0
10
0
2.0
1.0
3.0
2.0
CC
=12
CC
1.2=12V, PV
CC
3=5V
V
R
L
=8
+47
μ
H
3.0
C
O
LIMIT INPUT VOLTAGE : V
IN
(V)
Fig.4 CH1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BA582T1 | General Purpose PIN Diode |
| BA582T3 | General Purpose PIN Diode |
| BA5982FP | 光ディスクLSI |
| BA5985FM | 光ディスクLSI |
| BA5998 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BA5826FP_08 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit |
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