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参数资料
| 型号： | BAP64-02,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 232K |
| 描述： | DIODE PIN 175V 100MA SOD-523 |
| 产品培训模块： | RF Small Signal Products Part 1 RF Small Signal Products Part 2 |
| 产品目录绘图： | SOD-523 Pin Out SOD-523 Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | PIN - 单 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 175V |
| 电流 - 最大： | 100mA |
| 电容@ Vr, F： | 0.35pF @ 20V，1MHz |
| 电阻@ Vr, F： | 1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz |
| 功率耗散（最大）： | 715mW |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP
Semiconductors
Product speci?cation
Silicon PIN diode
BAP64-02
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
= 25°C unless otherwise speci?ed.
Note
1.
Guaranteed on AQL basis: inspection level S4, AQL
1.0.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
VF
forward voltage
IF
=
50
mA
0.95
1.1
V
IR
reverse leakage current
VR
=175
V
?
10
μA
VR
=20V
?
1
μA
Cd
diode capacitance
VR
=
0; f
=
1
MHz
0.48
?
pF
VR
=
1
V;
f
=
1
MHz
0.35
?
pF
VR
=
20
V; f
=
1
MHz
0.23
0.35
pF
rD
diode forward resistance
f
=
100
MHz; note
1
IF
=
0.5
mA
20
40
Ω
IF
=
1
mA
10
20
Ω
IF
=
10
mA
2
3.8
Ω
IF
=
100
mA
0.7
1.35
Ω
τL
charge carrier life time
when
switched
from
IF
=10mAto
1.55
IR=
6
mA; RL
=
100
Ω;
measured at IR
=3mA
?μs
LS
series inductance
0.6
?nH
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
Rth
j-s
thermal resistance from junction to soldering point
85
K/W
Rev. 06 - 9 January 2008
3 of 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BAP6404 | 制造商:PHILIPS 功能描述:New |
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