型号: | BAS116LT1G |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | BAS116LT1G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BAS116LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHING DIODE, 75V, 200mA, SOT-23 |
BAS116LT1G_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Diode |
BAS116LT3G | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75V MED SPEED SWTCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
BAS116LYL | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):325mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 |
BAS116Q-13-F | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |