参数资料
型号: BAS16HT1
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 90K
描述: DIODE SWITCH 200MA 75V SOD323
产品变化通告: Wire Change 08/Jun/2009
Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装: 10
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 75V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 6ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商设备封装: SOD-323
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: BAS16HT1OSCT
BAS16H, SBAS16H
http://onsemi.com
3
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
100
0.1
0.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
TA
= 85
°C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
0.68
0.520
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.64
0.60
0.56
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
246800.0001
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Leakage Current
Figure 4. Capacitance
TA
= -
°C
TA
= 25
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
Figure 5. Maximum Non?repetitive Peak
Forward Current as a Function of Pulse
Duration, Typical Values
Tp
(mSec)
1
0.1
0.01
0.001
5
10
15
20
25
I
FSM
(A)
10
30
35
40
Based on square wave currents
TJ
= 25
°C prior to surge
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