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参数资料
型号： BAS16HT3G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 2/4页
文件大小： 90K
描述： DIODE SWITCH 200MA 75V SOD-323
产品变化通告： Wire Change 08/Jun/2009
标准包装： 10,000
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 75V
电流 - 平均整流 (Io)： 200mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.25V @ 150mA
速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间(trr)： 6ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 1µA @ 75V
电容@ Vr, F： 2pF @ 0V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-76，SOD-323
供应商设备封装： SOD-323
包装： 带卷 (TR)
BAS16H, SBAS16H
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 100 Vdc)
(VR
= 75 Vdc, T
J
= 150
°C)
(VR
= 25 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
?
1.0
50
30
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc)
V(BR)
100
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 50 mAdc)
(IF
= 150 mAdc)
VF
?
?
?
?
715
855
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
2.0
pF
Forward Recovery Voltage
(IF
= 10 mAdc, t
r
= 20 ns)
VFR
?
1.75
Vdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc, R
L
= 50
)
trr
?
6.0
ns
Stored Charge
(IF
= 10 mAdc to V
R
= 5.0 Vdc,
RL
= 500
)
QS
?
45
pC
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