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参数资料
| 型号： | BAS19 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Surface Mount Switching Diode |
| 中文描述： | 表面贴装开关二极管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | BAS19 |
SOT23 SILICON HIGH
SPEED SWITCHING DIODE
ISSUE 2 JANUARY 1995
PIN CONFIGURATION
PARTMARKING DETAILS
BAS19 A8
BAS20 A81
BAS21 A82
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
BAS19
BAS20
BAS21
UNIT
Continuous Reverse Voltage
V
R
V
RRM
I
F(AV)
I
F
I
FRM
P
tot
T
j
:T
stg
100
150
200
V
Repetative Peak Reverse Voltage
120
200
250
V
Average Forward Rectified Current
200
mA
Forward Current
200
mA
Repetative Peak Forward Current
625
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Reverse
Breakdown
Voltage
V
(BR)
BAS19
120
V
I
R
=100
μ
A (1)
BAS20
200
V
I
R
=100
μ
A (1)
BAS21
250
V
I
R
=100
μ
A (2)
Reverse Current
I
R
100
100
nA
μ
A
V
R
=V
R
max
V
R
=V
R
max, T
J
=150°C
Static Forward Voltage V
F
1.00
1.25
IF=100mA
I
F
=200mA
Differential Resistance
r
diff
5
I
F
=10mA
Diode Capacitance
C
d
5
pF
f=1MHz
Reverse Recovery Time t
rr
50
ns
I
F
=30mA to I
R
=30mA
R
L
=10
measured at I
R
=3mA
(1) Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
(2) At zero life time, measured under pulse conditions to avoid excessive dissipation and voltage
limited to 275V
Spice parameter data is available upon request for this device
BAS19
BAS20
BAS21
PAGE NO
1
3
2
SOT23
1
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS19 | SILICON HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
| BAS19 | Surface Mount Silicon Planar Small-Signal Diode |
| BAS19 | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAS19 | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAS19-T1 | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS19 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BAS19 RF | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOT23;SWITCHING DIODE 250MW 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:SOT23;SWITCHING DIODE 250MW |
| BAS19 RFG | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| BAS19 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 120V 0.2A 3-Pin TO-236AB T/R |
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