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参数资料
| 型号： | BAS20-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 84K |
| 描述： | DIODE SWITCH 150V 250MW SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BAS20 BAS20CT BAS20CT-ND BAS20DICT |
BAS19 / BAS20 / BAS21
Document number: DS12004 Rev. 21 - 2
2 of 4
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
BAS19 / BAS20 / BAS21
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol BAS19 BAS20 BAS21 Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
120 200 250 V
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRWM
VR
100 150 200 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
71 106 141 V
Forward Continuous Current (Note 4)
IFM
400 mA
Average Rectified Output Current (Note 4)
IO
200 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0s
IFSM
2.5
0.5
A
Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 4)
IFRM
625 mA
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 4)
PD
250
mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 4)
RθJA
500
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ , TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 5)
BAS19
BAS20
V(BR)R
200
?
V
IR
= 100
μA
250
BAS21
120
Forward Voltage
VF
?
1.0
1.25
V
IF
= 100mA
IF
= 200mA
Reverse Current @ Rated DC Blocking Voltage (Note 5)
IR
?
100
15
nA
μA
TJ
= 25
°C
TJ
= 100
°C
Total Capacitance
CT
?
5.0
pF
VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
50
ns
IF
= I
R
= 30mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
Ω
Notes: 4. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0
0140
80
20160
200
250
200
150
50
100
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 1 Power Derating Curve
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
Note 4
0.001
0
0.01
0.1
1
0.40.2
0. 6
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0.8
1.2
1.0
1.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S100J25U2JR64V7R | CAP CER 10PF 3KV 5% RADIAL |
| R2D10-1212-R | CONV DC/DC 2W +/-12VOUT SMD |
| VI-JNH-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W |
| ESM08DSXN | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| SDR1105-101KL | INDUCTOR POWER 100UH 10% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS20-7-F | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 150V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS20-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed |
| BAS20DW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS20DW_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
| BAS20DW-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200MW 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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