参数资料
型号: BAS21
厂商: Transys Electronics Ltd.
英文描述: SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
中文描述: 表面贴装快速开关二极管
文件页数: 2/3页
文件大小: 49K
代理商: BAS21
B
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
General Purpose High Voltage Diode
(continued)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
B
V
I
R
Breakdown Voltage
Reverse Voltage Leakage Current
I
R
= 100
μ
A
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V, T
A
= 150
°
C
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 0, f
= 1.0 MHz
I
F
= I
R
= 30 mA, I
RR
= 3.0 mA,
R
L
= 100
250
V
nA
μ
A
V
V
pF
nS
100
100
1.0
1.25
5.0
50
V
F
Forward Voltage
C
O
T
RR
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
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PDF描述
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参数描述
BAS21 /T3 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS21 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BAS21 RFG 功能描述:DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):250V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 1V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000
BAS21,215 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 SW 200V 200MA HS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
BAS21,235 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube