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参数资料
| 型号： | BAS21HT1 |
| 厂商： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
| 中文描述： | 高压开关二极管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | BAS21HT1 |
B
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
General Purpose High Voltage Diode
(continued)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
B
V
I
R
Breakdown Voltage
Reverse Voltage Leakage Current
I
R
= 100
μ
A
V
R
= 200 V
V
R
= 200 V, T
A
= 150
°
C
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 0, f
= 1.0 MHz
I
F
= I
R
= 30 mA, I
RR
= 3.0 mA,
R
L
= 100
250
V
nA
μ
A
V
V
pF
nS
100
100
1.0
1.25
5.0
50
V
F
Forward Voltage
C
O
T
RR
Diode Capacitance
Reverse Recovery Time
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAS21HT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21HT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| BAS21HT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
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