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参数资料
| 型号： | BAS21LT1 |
| 厂商： | 乐山无线电股份有限公司 |
| 英文描述： | High Voltage Switching Diode |
| 中文描述： | 高压开关二极管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | BAS21LT1 |
B
BAS21
General Purpose High Voltage Diode
Sourced from Process 1H. See MMBD1401 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
f(surge)
Working Inverse Voltage
Average Rectified Current
DC Forward Current
Recurrent Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
250
200
600
700
V
mA
mA
mA
1.0
2.0
A
A
°
C
°
C
T
stg
T
J
-55 to +150
150
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
BAS21
350
2.8
357
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
R
θ
JA
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SOT-23
3
1
2
29
3
1
2
2 NC
3
1
CONNECTION DIAGRAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS21HT1 | HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE |
| BAS21 | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAS21WS-T1 | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAS21WS-T3 | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAS21W-T1 | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| BAS21LT3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21M3T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V HI VLTG SOT-723 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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