参数资料
型号: BAS40-05-7-F
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/5页
文件大小: 280K
描述: DIODE SCHTKY 350MW 40V SOT23-3
产品变化通告: Encapsulate Change 15/May/2008
产品目录绘图: 3 Pin Circuit
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 40mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200nA @ 30V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 40V
反向恢复时间(trr): 5ns
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1598 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: BAS40-05-FDIDKR
BAS40/ -04/ -05/ -06
Document number: DS11006 Rev. 25 - 2
3 of 5
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
BAS40/ -04/ -05/ -06
T , AMBIENT TEMPERATURE (oC)A
Figure 1 Power Derating Curve, Total Package
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
0
100
200
300
400
0
120
200
40 80
160
0.01
0.1
1
0.001
0.0001
01.00.2
0.4
0.6
0.8
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Figure 2 Typical Forward Characteristics
0.1
1
10
100
1,000
10,000
0
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
10 20 30 40
Figure 3 Typical Reverse Characteristics
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(nA)
R
0
1
3
2
0
10
20
40
30
C
,
T
O
T
AL
C
A
P
A
C
I
T
A
N
C
E (p
F
)
T
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
Figure 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
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