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参数资料
| 型号： | BAS40W-05-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 202K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 200MW SC70-3 |
| 产品目录绘图： | 3 Pin Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 40mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1598 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS40W-05-FDIDKR |
BAS40W /-04 /-05 /-06
Document number: DS30114 Rev. 15 - 2
2 of 4
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
BAS40W /-04 /-05 /-06
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
40
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
28
V
Forward Continuous Current (Note 6)
IFM
200
mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s
IFSM
600
mA
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 6)
PD
200
mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 6)
RθJA
625
°C/W
Operating Temperature Range
TJ
-55 to +125
°C
Storage Temperature Range
TSTG
-65 to +150
°C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 7)
V(BR)R
40
?
V
IR
= 10
μA
Forward Voltage
VF
?
380
1000
mV
mV
IF
= 1.0mA, t
p
< 300
μs
IF
= 40mA, t
p
< 300
μs
Leakage Current (Note 7)
IR
?
200
nA
VR
= 30V
Total Capacitance
CT
?
5.0
pF
VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
5.0
ns
IF
= I
R
= 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL
= 100
?
Notes: 6. Device mounted on FR4 PC board with
recommended pad layout, per http://www.diodes.com
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
0.01
0.1
1
0.001
0.0001
0
1.0
0.6
0.8
0.4
0.2
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
0.1
1
10
100
1,000
10,000
0
10 20
30 40
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(nA)
R
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS40W-04-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 200MW SC70-3 |
| SCB15P15B-1A | SWITCH PUSH SPDT 15A 125V |
| MMBD4148TW-7-F | DIODE SW TRIPLE 75V 200MW SOT363 |
| AT3015JB | SW CAP ROUND FOR LED CLEAR WHITE |
| MB2461E1A01-HC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS40W-05W | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Low Forward Voltage Drop, Fast Switching |
| BAS40W-06 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE DUAL SCHOTTKY 40V SOT323 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE, DUAL SCHOTTKY, 40V, SOT323 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE, DUAL SCHOTTKY, 40V, SOT323; Diode Type:Ultrafast Recovery; Diode Configuration:Dual Common Anode; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:40V; Forward Current If(AV):200mA; Forward Voltage VF Max:1V ;RoHS Compliant: Yes |
| BAS40W-06-7 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 200mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS40W-06-7-F | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 200mW RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS40W-06W | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Low Forward Voltage Drop, Fast Switching |
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