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参数资料
| 型号： | BAS4 |
| 厂商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Schottky Diodes |
| 中文描述： | 肖特基二极管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | BAS4 |
1999 May 28
4
Philips Semiconductors
Product specification
Low-leakage diode
BAS45AL
GRAPHICAL DATA
Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage
0
100
IF
(mA)
200
0
100
200
MBG522
Tamb (
o
C)
(1) T
j
= 150
°
C; typical values.
(2) T
j
= 25
°
C; typical values.
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values.
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
handbook, halfpage
0
1.0
0.5
1.5
0
100
200
MBG523
VF (V)
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents; T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG704
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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