参数资料
型号: BAS85,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 7/10页
文件大小: 99K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80C
产品目录绘图: SOD-80C Pin Out
SOD-80C Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2.3µA @ 25V
电容@ Vr, F: 10pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-80C
供应商设备封装: LLDS; MiniMelf
包装: 标准包装
产品目录页面: 1509 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-1609-6
BAS85 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 6 — 10 September 2010 6 of 10
NXP Semiconductors
BAS85
Schottky barrier diode
10. Soldering
Fig 6. Reflow soldering footprint SOD80C
Fig 7. Wave soldering footprint SOD80C
sod080c
2.30
4.30
4.55
2.25
1.70
1.60
0.90
(2x)
solder lands
solder resist
occupied area
solder paste
Dimensions in mm
sod080c
2.70
4.90
6.30
2.90
1.70
1.90
solder lands
tracks
solder resist
occupied area
Dimensions in mm
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PDF描述
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参数描述
BAS85135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BAS85-GS08 功能描述:肖特基二极管与整流器 200mA 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS85-GS18 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Volt 200mA 600 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS85-M 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode
BAS85-M-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M