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参数资料
| 型号： | BAS85,135 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 99K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80C |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2.3µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-80C |
| 供应商设备封装： | LLDS; MiniMelf |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-8202-6 |
         1. Product profile 1.1 General description Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted Device SMD package with tin-plated metal discs at each end. It is suitable for “automatic placement” and as such it can withstand immersion soldering. 1.2 Features and benefits ∨ Low forward voltage ∨ High breakdown voltage ∨ Guard-ring protected ∨ Hermetically sealed glass SMD package 1.3 Applications ∨ Ultra high-speed switching ∨ Voltage clamping ∨ Protection circuits ∨ Blocking diodes 1.4 Quick reference data BAS85 Schottky barrier diode Rev. 6 — 10 September 2010 Product data sheet Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF forward current - - 200 mA VR reverse voltage - - 30 V VF forward voltage IF = 100 mA - - 800 mV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS86,115 | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80C |
| BAT1000-7-F | DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOT23-3 |
| BAT254,115 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD110 |
| BAT400D-7 | DIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOT23-3 |
| BAT42WS-7-F | DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOD-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS85-GS08 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 200mA 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS85-GS18 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Volt 200mA 600 mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS85-M | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode |
| BAS85-M-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M |
| BAS85-M-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M |
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