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参数资料
| 型号： | BAT1000-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 78K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Foot Print |
| 其它图纸： | SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 175pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1592 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAT1000-7-FDIDKR |
BAT1000
Document number: DS30245 Rev. 10 - 2
2 of 4
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
BAT1000
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
40 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
28 V
Average Rectified Current
IO
1.0 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load
IFSM
5.5 A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 6)
PD
500 mW
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
(Note 6)
RθJA
200 °C/W
Operating Temperature Range
TJ
-40 to +125
°C
Storage Temperature Range
TSTG
-40 to +150 °C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 7)
V(BR)R
40
?
?
V
IR
= 300μA
Forward Voltage
VF
?
225
235
290
340
390
420
475
270
290
340
400
450
500
600
mV
IF
= 50mA
IF
= 100mA
IF = 250mA
IF = 500mA
IF = 750mA
IF = 1000mA
IF = 1500mA
Reverse Current (Note 7)
IR
?
?
100 μA VR
= 30V
Total Capacitance
CT
?
?
175
25
??
?
pF
pF
VR
= 0V, f = 1.0MHz
VR
= 25V, f = 1.0MHz
Notes: 6. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BAT42WS-7-F | DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOD-323 |
| BAT43W-7-F | DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOD123 |
| BAT43XV2 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAT1000Q-7-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| BAT1000TA | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A SOT23-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| BAT114-099 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Dual Schottky Diode (High barrier diode for balanced mixers, phase detectors and modulators) |
| BAT114-099R | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Crossover Ring Quad Schottky Diode (High barrier diode for double balanced mixers, phase detectors and modulators) |
| BAT120 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky barrier double diodes |
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