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参数资料
| 型号： | BAT254,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 166K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD110 |
| 产品目录绘图： | SOD-110 Pin Out SOD-110 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 10pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-110 |
| 供应商设备封装： | SOD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-3412-6 |
      2002 May 28 4 NXP Semiconductors Product data sheet Schottky barrier diode BAT254 GRAPHICAL DATA 3 handbook, halfpage10 IF VF (V) 102 (mA) 10 1 10 1 0 1.2 0.8 0.4 MSA892 (3) (2) (1) (1) (2) (3) (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 85 °C. (3) Tamb = 25 °C. Fig.2 Forward current as a function of forward voltage; typical values. 0102030V (V)R 10 3 IR (μA) 10 2 10 1 10 1 (1) (2) (3) MSA893 (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb = 85 °C. (3) Tamb = 25 °C. Fig.3 Reverse current as a function of reverse voltage; typical values. 15handbook, halfpage 0 0102030VR (V) 5 10 Cd (pF) MSA891 f = 1 MHz; Tamb = 25 °C. Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. Fig.5 Reverse recovery definitions. handbook, halfpageIF 90% 10% t tf Qr dIF dt IR MRC129 - 1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAT26SM600 | 制造商:Banner Engineering 功能描述:Sensor, Glass Fiber Optics, 20699 |
| BAT26SM900 | 制造商:Banner Engineering 功能描述:Sensor, Glass Fiber Optics, 20736 |
| BAT29 | 制造商:JINANJINGHENG 制造商全称:Jinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 功能描述:SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES |
| BAT2S1P-2 | 制造商:Dantona Industries 功能描述:NEXERGY BATTERY PACK |
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