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参数资料
| 型号： | BAT54A_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 114K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAT54/A/C/S — Schottky Diodes
? 2012 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
BAT54/A/C/S Rev. E2 1
April 2012
BAT54/A/C/S
Schottky Diodes
Absolute Maximum Ratings * Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 30 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
600 mA
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature -55 to +150
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 290 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 430
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 10
μA30V
VF
Forward Voltage IF
= 0.1mA
IF
= 1mA
IF
= 10mA
IF
= 30mA
IF
= 100mA
240
320
400
500
0.8
mV
mV
mV
mV
V
IR
Reverse Leakage VR
= 25V 2
μA
CT
Total Capacitance VR
= 1V, f = 1.0MHz 10 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 10mA, I
RR
= 1.0mA,
RL
= 100
Ω
5.0 ns
12
3
L4P
1
2
3
SOT-23
BAT54
BAT54C
= L43
BAT54S = L44
= L4P
BAT54A = L42
MARKING
Connection Diagram
3BAT54S
1
2
3
1
2
BAT54C
3
1
2
1
3
BAT54 BAT54A
2NC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAW56_D87Z | DIODE HI COND 85V 200MA SOT-23 |
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| F950J107MBAAQ2 | CAP TANT 100UF 6.3V 20% 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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