参数资料
型号: BAT54H,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/8页
文件大小: 125K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
产品目录绘图: SOD-123F Pin Out
SOD-123F Circuit
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电容@ Vr, F: 10pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: SOD-123F
包装: 标准包装
产品目录页面: 1510 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 568-3415-6
NXP Semiconductors
BAT54H
Schottky barrier single diode in small SOD123F package
BAT54H
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? NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
25 July 2012
3
/
8
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Soldering point of cathode tab.
7.
Characteristics
Table 7.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF
= 0.1 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
240
mV
IF
= 1 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
320
mV
IF
= 10 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
400
mV
IF
= 30 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
500
mV
VF
forward voltage
IF
= 100 mA; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
800
mV
IR
reverse current
VR
= 25 V; T
amb
= 25 °C
-
-
2
μA
Cd
diode capacitance
f
= 1 MHz; T
amb
= 25 °C; V
R
= 1 V
-
-
10
pF
103
102
10-
1
0
IF
(mA)
VF
(V)
10
1
(1)
1.2
0.8
0.4
msa892
)
(3)
(2
)
2)
(3)
1
(
(
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 1.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
0-
1
0
10
20
30
VR
(V)
103
102
1
IR
(μA)
10
1
(1)
(2)
(3)
msa893
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 2.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
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