参数资料
型号: BAT74S,135
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 4/10页
文件大小: 162K
描述: DIODE SCHTK DUAL 30V 200MA SC-88
标准包装: 10,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
反向恢复时间(trr): 5ns
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: 6-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 934045830135
BAT74S /T3
BAT74S /T3-ND
NXP Semiconductors
BAT74S
Dual Schottky barrier diode
BAT74S
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Product data sheet
22 November 2012
3
/
10
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Tamb
ambient temperature
-55
125
°C
Tstg
storage temperature
-65
150
°C
Per device
series connection
-
60
V
VR
reverse voltage
-
30
V
IF
forward current
[1]
-
110
mA
IFRM
repetitive peak forward current
tp
≤ 1 s; δ
≤ 0.5
-
200
mA
[1]
If both diodes are in forward operation at the same moment, total device current is maximum 110 mA.
If one diode is in reverse and the other in forward operation at the same moment, total device current is
maximum 200 mA.
mbl889
0
0
100
200
300
Ptot
(mW)
150
75
Tamb
(°C)
Fig. 1.
Power derating curve
6.
Thermal characteristics
Table 6.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
Rth(j-a)
thermal resistance
from junction to
ambient
in free air
[1]
-
-
416
K/W
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
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PDF描述
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