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参数资料
| 型号： | BAT86,133 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 40V |
| 电容@ Vr, F： | 8pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AG，DO-34，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-34 |
| 包装： | 带盒（TB） |
| 其它名称： | 933624770133 BAT86 AMO BAT86 AMO-ND |
          NXP Semiconductors BAT86 Schottky barrier single diode BAT86 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 25 July 2012 2 / 8 3. Ordering information Table 3. Ordering information Package Type number Name Description Version BAT86 DO-34 hermetically sealed glass package; axial leaded; 2 leads SOD68 4. Marking Table 4. Marking codes Type number Marking code BAT86 marking band 5. Limiting values Table 5. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VR reverse voltage - 50 V IF forward current - 200 mA IF(AV) average forward current δ = 0.5 ; f = 20 kHz; T amb ≤ 50 °C; PCB mounting, lead length = 4 mm - 200 mA IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 s; δ ≤ 0.5 - 500 mA IFSM non-repetitive peak forward current tp ≤ 10 ms; T j(init) = 25 °C - 5 A Tj junction temperature - 125 °C Tamb ambient temperature -65 125 °C Tstg storage temperature -65 150 °C 6. Thermal characteristics Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1] - - 320 K/W [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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