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参数资料
| 型号： | BAV102_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 117K |
| 描述： | DIODE 150V 200MA LL34 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | MELF（LL-34） |
| 供应商设备封装： | LL-34 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAV102 — High Voltage, General Purpose Diode
? 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
BAV102 Rev. 1.1.0 1
April 2013
BAV102
High Voltage, General Purpose Diode
Absolute Maximum Ratings(1)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
WIV
Working Inverse Voltage 150 V
IO
Average Rectified Current 200 mA
IF
DC Forward Current 500 mA
if
Recurrent Peak Forward Current 600 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Current
Pulse Width = 1.0 s 1.0 A
Pulse Width = 1.0 μs4.0A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +200
°C
Symbol Parameter Value Units
PD
Power Dissipation 500 mW
Linear Derating Factor from TA
= 25
°C3.33mW/°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 350
°C/W
SOD80
Cathode Band
Description
A general purpose diode that couples high forward con-
ductance fast swiching speed and high blocking volt-
ages in a glass leadless LL-34 surface mount package.
Placement of the expansion gap has no relationship to
the location of the cathode terminal which is indicated by
the first color band.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW170KB1803B01 | PS EXT MED 15.1W 18V @ 0.84A |
| ASC28DREN-S734 | CONN EDGECARD 56POS .100 EYELET |
| RBM11DRKH | CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD |
| MW170KB1503B01 | PWR SPLY EXT MED 15W 15V @ 1A |
| MW170KB0603B01 | PWR SPLY EXT MED 10W 6V @ 1.67A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAV102-GS08 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 200V 500mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV102-GS18 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 200V 500mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAV102-T | 功能描述:整流器 250mA 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAV102T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SW TAPE-7 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 200V 0.25A 2-Pin Mini-MELF T/R |
| BAV102-TP | 功能描述:整流器 250mA 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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